Amerikanyň Birleşen Ştatlary, çip ýyladyşyny basmak üçin ýokary ýylylyk geçirijiligi bolan ýarymgeçiriji materiallary öndürýär.
Çipdäki tranzistorlaryň sanynyň köpelmegi bilen kompýuteriň hasaplaýyş öndürijiligi gowulaşmagyny dowam etdirýär, ýöne ýokary dykyzlygy köp gyzgyn nokatlary döredýär.
Dogry ýylylyk dolandyryş tehnologiýasy bolmazdan, prosessoryň işleýiş tizligini haýallatmakdan we ygtybarlylygy peseltmekden başga-da, aşa gyzmagyň öňüni alýar we energiýa tygşytlylygy meselesini döredip, goşmaça energiýa talap edýär. Bu meseläni çözmek üçin Los An Angeleselesdäki Kaliforniýa uniwersiteti 2018-nji ýylda aşa ýokary ýylylyk geçirijiligi bolan täze ýarymgeçiriji materialy işläp düzdi, ol kemçiliksiz bor arsenidinden we bor fosfidinden ybarat bolup, bar bolan ýylylyk paýlaýyş materiallaryna meňzeýär. göwher we kremniý karbid. gatnaşygy, ýylylyk geçirijiliginden 3 esse köp.
2021-nji ýylyň iýun aýynda Los-An Angeleselesdäki Kaliforniýa uniwersiteti täze ýarymgeçiriji materiallary ulanyp, çipleriň ýylylyk öndürilmegini üstünlikli basyp, şeýlelik bilen kompýuteriň işleýşini gowulandyrmak üçin ýokary güýçli kompýuter çipleri bilen birleşdi. Gözleg topary, ýylylyk ýaýramagynyň täsirini gowulandyrmak üçin çip bilen ýylylyk geçirijisiniň arasynda bor arsenid ýarymgeçirijisini goýdy we hakyky enjamyň ýylylyk dolandyryşy boýunça gözleg geçirdi.
Bor arsenid substratyny giň energiýa boşlugy galliý nitrit ýarymgeçirijisi bilen baglanyşdyrandan soň, galiý nitrid / bor arsenid interfeýsiniň ýylylyk geçirijiliginiň 250 MW / m2K, interfeýs termiki garşylygy bolsa gaty pes derejä ýetendigi tassyklandy. Bor arsenid substraty, alýumin galiý nitrid / galiý nitridinden düzülen ösen ýokary elektron hereketli tranzistor çipi bilen birleşdirilip, ýylylygyň ýaýramagynyň täsiriniň göwher ýa-da kremniý karbidinden ep-esli gowudygy tassyklandy.
Gözleg topary çipi iň ýokary derejede işledi we gyzgyn nokady otag temperaturasyndan iň ýokary temperatura çenli ölçedi. Synag netijeleri göwher ýylylyk geçirijisiniň temperaturasynyň 137 ° C, kremniý karbid ýylylyk geçirijisiniň 167 ° C, bor arsenid ýylylyk enjamynyň bary-ýogy 87 ° C bolandygyny görkezýär. Bu interfeýsiň ajaýyp ýylylyk geçirijiligi bor arsenidiniň özboluşly foniki zolakly gurluşyndan we interfeýsiň integrasiýasyndan gelýär. Bor arsenid materialy diňe bir ýokary ýylylyk geçirijiligine eýe bolman, eýsem kiçijik interfeýs termiki garşylygyna hem eýe.
Has ýokary enjamyň işleýiş güýjüne ýetmek üçin ýylylyk enjamy hökmünde ulanylyp bilner. Geljekde uzak aralyga, ýokary kuwwatly simsiz aragatnaşykda ulanylmagyna garaşylýar. Highokary ýygylykly güýç elektronikasy ýa-da elektron gaplamak pudagynda ulanylyp bilner.
Iş wagty: Awgust-08-2022